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MMBT2907A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MMBT2907A
廠商型號(hào)

MMBT2907A

參數(shù)屬性

MMBT2907A 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

功能描述

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

130.09 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 SEMTECH ELECTRONICS LTD.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

SEMTECH_ELEC先之科半導(dǎo)體

中文名稱

先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-15 11:04:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MMBT2907A

  • 別名:

    MMBT2907A三極管、MMBT2907A晶體管、MMBT2907A晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    0.6A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

    3CL10C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.3

MMBT2907A規(guī)格書(shū)詳情

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

for switching and AF amplifier applications.

The transistor is subdivided into one group according to its DC current gain. As complementary type the NPN transistor MMBT2222 and MMBT2222A are recommended.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBT2907A

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    20nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.8A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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