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MMBT3904RF	文件：518.14 Kbytes Page：3 Pages	300mW, NPN Small Signal Transistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺(tái)灣半導(dǎo)體臺(tái)灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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MMBT3904SL	文件：143.25 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultrasmallsurfacemountpackageforalltypes(max0.43mmtall) ?Suitableforgeneralswitching&amplification ?Wellsuitedforportableapplication ?Ascomplementarytype,PNPMMBT3906SLisrecommended ?Pbfree	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT3904T	文件：178.12 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>40V ?IC=200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryPNPType:MMBT3906T ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualifie	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3904T	文件：434.5 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3904T	文件：134.45 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. ?Suitableforgeneralswitching&amplification ?Wellsuitedforportableapplication ?Ascomplementarytype,PNPMMBT3906Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT3904T	文件：360.71 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeNPNSiliconTransistor GeneralPurposeNPNSiliconTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3904T	文件：221.95 Kbytes Page：3 Pages	150mWNPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT3904T	文件：115.71 Kbytes Page：3 Pages	150mWNPNGeneralPurposeAmplifier Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensiti	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT3904T	文件：179.44 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906T) ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
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MMBT3904T	文件：663.57 Kbytes Page：4 Pages	NPNTransistor ■Features ●SmallPackage ●ComplementarytoMMBT3906T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
MMBT3904T	文件：135.53 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.15W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司	WINNERJOIN
MMBT3904T	文件：843.75 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcurrent,Lowvoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3904T	文件：165.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable(MMBT3906T). ●CollectorCurrentCapabilityIc=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT3904T	文件：791.53 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistors FEATURES ?SimplifiesCircuitDesign. ?WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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更多MMBT3904R供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-5 15:00:00

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