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MMBT3906RF	文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
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MMBT3906RFG	文件：382.28 Kbytes Page：4 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MMBT3906RFG	文件：229.24 Kbytes Page：5 Pages	350mW,PNPSmallSignalTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導(dǎo)體臺灣半導(dǎo)體股份有限公司	TSC
MMBT3906SL	文件：142.55 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultrasmallsurfacemountpackageforalltypes(max0.43mmtall) ?Suitableforgeneralswitching&amplification ?Wellsuitedforportableapplication ?Ascomplementarytype,NPNMMBT3904SLisrecommended. ?Pbfree	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：432.88 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：133.92 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. ?Suitableforgeneralswitching&amplification ?Wellsuitedforportableapplication ?Ascomplementarytype,NPNMMBT3904Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMBT3904T ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualif	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：413.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3906T	文件：120.71 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?SurfaceMountSOT-523Package ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoisureSensitivityLevel1 ?Marking:3N ?Halogenfreeavailableupon	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：779.3 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors FEATURES ?SimplifiesCircuitDesign. ?WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
MMBT3906T	文件：244.5 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：178.97 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable(MMBT3904T) ?LeadFree/RoHSCompliant(Note2) ?GreenDevice(Note3and4)	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：5.28636 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable ?AlsoAvailableinLeadFreeVersion	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
MMBT3906T	文件：428.15 Kbytes Page：6 Pages	40VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：711.63 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
MMBT3906T	文件：273.51 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司	MCC
MMBT3906T	文件：167.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT3906T	文件：1.03715 Mbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906T	文件：953.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN

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更多MMBT3906NC供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-8 10:20:00

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