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MMBT3906T	文件：432.88 Kbytes Page：4 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：133.92 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor Features ?Generalpurposeamplifiertransistor. ?Ultra-SmallSurfaceMountPackageforalltypes. ?Suitableforgeneralswitching&amplification ?Wellsuitedforportableapplication ?Ascomplementarytype,NPNMMBT3904Tisrecommended	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
MMBT3906T	文件：55.11 Kbytes Page：3 Pages	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ?BVCEO>-40V ?IC=-200mACollectorCurrent ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?Ultra-SmallSurfaceMountPackage ?ComplementaryNPNType:MMBT3904T ?TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ?HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ?Qualif	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
MMBT3906T	文件：413.05 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistorPNPSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
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MMBT3906T	文件：779.3 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors FEATURES ?SimplifiesCircuitDesign. ?WeDeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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MMBT3906T	文件：5.28636 Mbytes Page：4 Pages	SOT-523Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable ?AlsoAvailableinLeadFreeVersion	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 長電科技江蘇長電科技股份有限公司	JIANGSU
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MMBT3906T	文件：711.63 Kbytes Page：4 Pages	PNPTransistor ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE
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MMBT3906T	文件：167.54 Kbytes Page：4 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBT3904T). ●LowCurrent(Max:-200mA). ●LowVoltage(Max:-40V). APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
MMBT3906T	文件：1.03715 Mbytes Page：7 Pages	SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features HighDCCurrentGain,LowCollectortoEmitterSaturationVoltage. Applications Generalpurposeamplifierandswitching.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司	FOSHAN
MMBT3906T	文件：953.09 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion ●ComplementarytoMMBT3904T	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
MMBT3906T	文件：983.24 Kbytes Page：2 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypeAvailable ?AlsoAvailableinLeadFreeVersion	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科廣東時科微實業(yè)有限公司	SKTECHNOLGY
MMBT3906T	文件：207.99 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypeAvailable AlsoAvailableinLeadFreeVersion	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣電子唯圣電子有限公司	GWSEMI
MMBT3906TB	文件：479.32 Kbytes Page：5 Pages	PNPGeneralPurposeSwitchingTransistor Features ?PNPepitaxialsilicon,planardesign ?Collector-EmitterVoltageVCE=-40V ?CollectorCurrentIC=-200mA ?LeadfreeincompliancewithEURoHS2.0 ?GreenmoldingcompoundasperIEC61249Standard	PANJITPan Jit International Inc. 強(qiáng)茂股份有限公司	PANJIT
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