MMBT589分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MMBT589 |
參數(shù)屬性 | MMBT589 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 1A SOT23-3 |
功能描述 | Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package |
文件大小 |
1.039369 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Foshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. |
企業(yè)簡稱 |
FOSHAN【藍(lán)箭電子】 |
中文名稱 | 佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-12-23 20:18:00 |
MMBT589規(guī)格書詳情
Descriptions
Silicon PNP transistor in a SOT-23 Plastic Package.
Features
Large current, surface mount device.
Applications
Switching for high current applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MMBT589LT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
650mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 500mA,2V
- 頻率 - 躍遷:
100MHz
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
TRANS PNP 30V 1A SOT23-3
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
量大可定ON |
20+ |
SOT23 |
49000 |
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