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MMBT589分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMBT589
廠商型號

MMBT589

參數(shù)屬性

MMBT589 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

功能描述

PNP General Purpose Transistor

絲印標(biāo)識

589

封裝外殼

SOT-23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

1.56936 Mbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Shenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LUGUANG魯光電子

中文名稱

深圳市魯光電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-16 23:00:00

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MMBT589規(guī)格書詳情

FEATURES

● Epitaxial planar die construction.

● Also available in lead free version.

APPLICATIONS

● High current surface mount PNP silicon switching transistor

for load management in portable appilications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMBT589LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    650mV @ 200mA,2A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
DIODES/美臺
23+
NA/
9000
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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原裝正品現(xiàn)貨
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