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L8550LT1

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

L8550LT1G

GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon

LRCLeshan Radio Company

樂山無線電樂山無線電股份有限公司

M8550LT1

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

MMBT8550LT1

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR

PNPEPITAXIALSILICONTRANSISTOR 2WOUTPUTAMPLIFIEROFPORTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION ?ComplementtoMMPT8050LT1 ?Collector-current:Ic=-500mA ?HighTotalPowerDissipation:Pc=225mW

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

S8550LT1

HIGHVOLTAGETRANSISTOR:(PNP)

FEATURES DieSize 0.44*0.44mm Powerdissipation PCM:225mW（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V

WINGSWing Shing Computer Components

永盛電子永盛電子(香港)有限公司

SS8550LT1

PNPGeneralPurposeTransistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

SS8550LT1

TRANSISTOR竊?PNP竊

FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-1.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

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更多MMBT8550LT1G供應(yīng)商 更新時間2025-1-22 9:03:00

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