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MMBTA45L-AE3-R

HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

FEATURES *Collector-Emittervoltage:VCEO=400V(UTCMMBTA44) VCEO=350V(UTCMMBTA45) *Collectorcurrentupto300mA *ComplementtoUTCMMBTA94/93 *PowerDissipation:PD(max)=350mW

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

MMBTA45L-AE3-R

HIGH VOLTAGE TRANSISTORS

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

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更多MMBTA45L-AE3-R供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 15:35:00