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MMBTA56WT1分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MMBTA56WT1
廠商型號

MMBTA56WT1
參數屬性

MMBTA56WT1 封裝/外殼為SC-70，SOT-323；包裝為散裝；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
功能描述

Driver Transistor PNP Silicon
TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
封裝外殼

SC-70，SOT-323
文件大小

72.61 Kbytes
頁面數量

5 頁
生產廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI【安森美半導體】

中文名稱

安森美半導體公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-5-22 15:02:00
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MMBTA56WT1規(guī)格書詳情

MMBTA56WT1屬于分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個。由安森美半導體公司制造生產的MMBTA56WT1晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言，它們仍然是首選技術。

Driver Transistor

PNP Silicon

Features

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating: Human Body Model ? 4 kV

Machine Model ? 400 V

? Pb?Free Package is Available

產品屬性

更多
  • 產品編號：

    MMBTA56WT1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 100mA，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    50MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應商器件封裝：

    SC-70-3（SOT323）

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
22+
SOT-323
32000
原裝現貨 價格 數量 來電確認
 詢價
ON/安森美
24+
6000
原廠原裝 歡迎詢價
 詢價
ON/安森美
22+
24000
原裝正品現貨,實單可談,量大價優(yōu)
 詢價
ON Semiconductor
2022+
SC-70-3(SOT323)
38550
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ON(安森美)
2447
SOT-323(SC-70)
105000
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ON/安森美
22+
SOT-323(SC-70)
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ON
23+
22+
8000
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ON
2016+
SOT323
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ON/安森美
24+
SOT-323(SC-70)
10000
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SC-70
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