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MMBTA63

PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features EpitaxialPlanarDieConstruction ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching HighCurrentGain

TRSYS

Transys Electronics

MMBTA63

PNP (DARLINGTON TRANSISTOR)

DARLINGTONTRANSISTOR

SamsungSamsung semiconductor

三星三星半導體

MMBTA63

PNP Darlington Transistor

Features ?Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhighcurrentgainatcurrentsto800mA. ?SourcedfromProcess61.

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

MMBTA63

PNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR

Features ?EpitaxialPlanarDieConstruction ?ComplementaryNPNTypesAvailable(MMBTA13/MMBTA14) ?IdealforLowPowerAmplificationandSwitching ?HighCurrentGain ?Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)

DIODES

Diodes Incorporated

MMBTA63

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE DARLING TON TRANSISTOR)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. DARLINGTONTRANSISTOR.

KECKEC CORPORATION

KEC株式會社

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

MMBTA63

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導體先之科半導體科技（東莞）有限公司

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；PNP Darlington Amplifier Transistor

FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable (MMBTA13/MMBTA14). ●Highcurrentgain. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

MMBTA63

Marking：2U；Package：SOT-23；SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors PNPDarlingtonTransistor Forgeneralpurposeapplication,darlingtontransistor MARKINGCODE:A63:2U A64:2V

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實業(yè)有限公司

MMBTA63

PNP Darlington Transistor

Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremelyhigh currentgainat500mA. ?Marking:MMBTA63:2U MMBTA64:2V ?CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammability ClassificationRating94

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號：

    MMBTA63

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    0.5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    BDV26,BDV46,PMBTA63,SMBTA63,

  • 最大耗散功率：

    0.3W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.5

  • wtest：

    0.3

產品屬性

  • 產品編號：

    MMBTA63

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 達林頓

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1.5V @ 100μA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    10000 @ 100mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    125MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP DARL 30V 1.2A SOT23-3

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MMBTA63供應商 更新時間2025-3-24 22:59:00

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