首頁(yè)>MMBTH10LT1G>詳情

MMBTH10LT1G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

MMBTH10LT1G參考圖片

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào)：MMBTH10LT1G品牌：ON

原裝正品,支持實(shí)單

MMBTH10LT1G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝SOT-23/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MMBTH10LT1G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號(hào)：

    MMBTH10LT1G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    6 頁(yè)

  • 文件大小：

    52.24 kb

  • 資料說明：

    VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MMBTH10LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    25V

  • 頻率 - 躍遷：

    650MHz

  • 功率 - 最大值：

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    60 @ 4mA，10V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市勝彬電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    段小姐

  • 手機(jī)：

    18902465585

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83135478

  • 傳真：

    0755-82780849

  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)觀湖街道環(huán)觀南路94號(hào)德盛昌大廈10樓1010/深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)1101

相近型號(hào)