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MMBV3700LT1G分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBV3700LT1G
廠商型號

MMBV3700LT1G

參數(shù)屬性

MMBV3700LT1G 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻;產(chǎn)品描述:RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

功能描述

High Voltage Silicon Pin Diodes
RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

59.55 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 23:00:00

MMBV3700LT1G規(guī)格書詳情

MMBV3700LT1G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-射頻。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的MMBV3700LT1G二極管 - 射頻射頻二極管是一種雙端子半導體器件,只允許一個方向通過電流,而限制反方向的電流。該系列器件用于射頻匹配電路以進行電子調(diào)諧。二極管類型包括 PIN 型、肖特基型和標準型,反向電壓范圍為 1 至 15,000 V,電流范圍為 10 mA 至 20A。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MMBV3700LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 二極管類型:

    PIN - 單

  • 電壓 - 峰值反向(最大值):

    200V

  • 不同?Vr、F 時電容:

    1pF @ 20V,1MHz

  • 不同?If、F 時電阻:

    1 歐姆 @ 10mA,100MHz

  • 工作溫度:

    125°C(TJ)

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應商器件封裝:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    RF DIODE PIN 200V 200MW SOT23-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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