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50R380	文件：1.18314 Mbytes Page：10 Pages	500V0.38(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
50R380P	文件：1.18314 Mbytes Page：10 Pages	500V0.38(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
IIPD50R380CE	文件：335.88 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IIPP50R380CE	文件：338.5 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor ?DESCRITION ?Fastswitching ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.38? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IPA50R380CE	文件：953.74 Kbytes Page：13 Pages	500VCoolMOS?CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA50R380CE	文件：2.92337 Mbytes Page：17 Pages	500VCoolMOSCEPowerTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?CEseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA50R380CE	文件：1.16499 Mbytes Page：2 Pages	500VCoolMOS??CEPowerMOSFET 500VCoolMOS?CEPowerMOSFET TheCoolMOS?CEisanewtechnologyplatformofInfineon’smarketleadinghighvoltagepowerMOSFETsdesignedaccordingtotherevolutionarysuperjunction(SJ)principle. 500VCEportfolioprovidesallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeas	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA50R380CE	文件：879.43 Kbytes Page：20 Pages	500VSuperjunctionMOSFETforConsumerandLightingApplications 500VCoolMOS?CEPowerMOSFET TheCoolMOS?CEisanewtechnologyplatformofInfineon’smarketleadinghighvoltagepowerMOSFETsdesignedaccordingtotherevolutionarysuperjunction(SJ)principle. 500VCEportfolioprovidesallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeas	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA50R380CE	文件：1.38384 Mbytes Page：14 Pages	500VCoolMOS?CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPA50R380CE	文件：260.99 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
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IPD50R380CE	文件：1.21373 Mbytes Page：13 Pages	500VCoolMOS?CEPowerTransistor Features ?ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss ?Veryhighcommutationruggedness ?Easytouse/drive ?Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound ?Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPI50R380CE	文件：2.92337 Mbytes Page：17 Pages	500VCoolMOSCEPowerTransistor Description CoolMOS?isarevolutionarytechnologyforhighvoltagepowerMOSFETs,designedaccordingtothesuperjunction(SJ)principleandpioneeredbyInfineonTechnologies.CoolMOS?CEseriescombinestheexperienceoftheleadingSJMOSFETsupplierwithhighclassinnovation.Theresulting	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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