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首頁(yè)>MMIX1X200N60B3H1>芯片詳情
MMIX1X200N60B3H1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 IXYS
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原廠料號(hào):MMIX1X200N60B3H1品牌:IXYS
IXYS全系列在售
MMIX1X200N60B3H1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商IXYS生產(chǎn)封裝N/A/24-PowerSMD,21 引線的MMIX1X200N60B3H1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
MMIX1X200N60B3H1
- 制造商:
IXYS
- 類別:
- 系列:
GenX3?, XPT?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 15V,100A
- 開(kāi)關(guān)能量:
2.85mJ(開(kāi)),2.9mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:
48ns/160ns
- 測(cè)試條件:
360V,100A,1 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
24-PowerSMD,21 引線
- 供應(yīng)商器件封裝:
24-SMPD
- 描述:
IGBT 600V 175A 520W SMPD
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市星辰微電科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
吳先生
- 手機(jī):
17375148621
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82713279
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)紅荔路3011號(hào)上步工業(yè)區(qū)13棟上步工業(yè)區(qū)501棟501棟411
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