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MMRF1008GH分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMRF1008GH
廠商型號

MMRF1008GH

參數(shù)屬性

MMRF1008GH 封裝/外殼為NI-780GH-2L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-780GH-2L

文件大小

1.19691 Mbytes

頁面數(shù)量

19

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 17:29:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMRF1008GHR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    900MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    20.3dB

  • 額定電流(安培):

    100μA

  • 功率 - 輸出:

    275W

  • 封裝/外殼:

    NI-780GH-2L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780GH-2L

  • 描述:

    PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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