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MMRF1312GS分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MMRF1312GS
廠商型號(hào)

MMRF1312GS

參數(shù)屬性

MMRF1312GS 封裝/外殼為NI-1230-4S GW;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

功能描述

RF Power LDMOS Transistors

封裝外殼

NI-1230-4S GW

文件大小

428.42 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-24 11:00:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMRF1312GSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.03GHz

  • 增益:

    19.6dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230-4S GW

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230-4S GULL

  • 描述:

    TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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