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MMST2907A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MMST2907A
廠商型號(hào)

MMST2907A

參數(shù)屬性

MMST2907A 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

功能描述

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

K3F

封裝外殼

SOT-323 / SC-70,SOT-323

文件大小

133.27 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Changzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

BILIN銀河微電

中文名稱

常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-20 22:58:00

MMST2907A規(guī)格書詳情

PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES

● Power dissipation.(PC=200mW)

● Epitaxial planar die construction.

● Complementary NPN type MMST2222A.

APPLICATIONS

● General purpose application.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMST2907AQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    50nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 頻率 - 躍遷:

    200MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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