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MMZ09332BRF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器規(guī)格書PDF中文資料

MMZ09332B
廠商型號(hào)

MMZ09332B

參數(shù)屬性

MMZ09332B 封裝/外殼為12-VFQFN 裸露焊盤;包裝為帶;類別為RF/IF射頻/中頻RFID的射頻放大器;產(chǎn)品描述:IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN

功能描述

High Efficiency/Linearity Amplifier

封裝外殼

12-VFQFN 裸露焊盤

文件大小

1.2073 Mbytes

頁面數(shù)量

28

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:59:00

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMZ09332BT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    RF/IF,射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝:

  • 頻率:

    130MHz ~ 1GHz

  • P1dB:

    32dBm

  • 增益:

    31dB

  • 射頻類型:

    LTE,TDS-CDMA,W-CDMA

  • 電壓 - 供電:

    5V

  • 電流 - 供電:

    240mA

  • 測試頻率:

    1GHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    12-VFQFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    12-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP LTE 130MHZ-1GHZ 12QFN

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
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