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MMZ25332B

Heterojunction Bipolar Transistor

1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MMZ25332B

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MMZ25332B4

InGaP GaAs HBT

1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MMZ25332B4T1

InGaP GaAs HBT

1500–2700MHz,26.5dB,33dBmInGaPHBTLINEARAMPLIFIER TheMMZ25332B4isaversatile2--stagepoweramplifiertargetedatdriverandpre--driverapplicationsformacroandmicrobasestationsandfinalstageapplicationsforsmallcells.Itsversatiledesignallowsoperationinanyfrequencyb

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

1800--2800MHz,26.5dB33dBmInGaPHBT TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.ItprovidesexceptionallinearityforLTEandW--CDMAairinterfacesw

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MMZ25332BT1

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

HeterojunctionBipolarTransistorTechnology(InGaPHBT) HighEfficiency/LinearityAmplifier TheMMZ25332Bisa2--stage,highlinearityInGaPHBTbroadbandamplifierdesignedforfemtocell,picocell,WLAN(802.11g/n),W--CDMA,TD--SCDMAandLTEwirelessbroadbandapplications.Itprovidesexcep

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MMZ25332B4T1

Package：24-VFQFN 裸露焊盤；包裝：托盤 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP WLAN 1.5GHZ-2.7GHZ 24QFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MMZ25332BT1

Package：12-VFQFN 裸露焊盤；包裝：帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC AMP LTE 1.8GHZ-2.8GHZ 12QFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MMZ25332B

  • 功能描述：

    射頻GaAs晶體管 31DBM GAAS AMP

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    TriQuint Semiconductor

  • 技術類型：

    pHEMT

  • 頻率：

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益：

    10 dB

  • 噪聲系數(shù)：

    正向跨導

  • gFS（最大值/最小值）：

    4 S 漏源電壓

  • 閘/源擊穿電壓：

    - 8 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    3 A

  • 最大工作溫度：

    + 150 C

  • 功率耗散：

    10 W

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FREESCALE
23+
NA
13000
原廠授權一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種
 詢價
Freescale
23+
原廠原封□□□
20000
原廠授權代理分銷現(xiàn)貨只做原裝正邁科技樣品支持現(xiàn)貨
 詢價
FREESCALE
5764
正品原裝--自家現(xiàn)貨-實單可談
 詢價
Freescale
23+
QFN
793
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
FSL
23+
原廠原包裝
6000
全新原裝假一賠十
 詢價
FREESCAL
23+
QFN12
467
原裝現(xiàn)貨假一賠十
 詢價
Freescale
15+
QFN
3000
全新進口原裝
 詢價
NXP
2020+
QFN12
80000
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
Freesca
2023+
QFN12
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價
NXP
20+
12-VFQFN
1128
無線通信IC,大量現(xiàn)貨!
 詢價
更多MMZ25332B供應商 更新時間2025-2-21 15:55:00

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