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5836N	文件：1.38161 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel40-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-free ?TrenchFET?PowerMOSFET ?OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation ?100RgTested ?100UISTested APPLICATIONS ?NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
AN5836	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
AN5836	文件：198.23 Kbytes Page：3 Pages	DCVOLUMETONECONTROLIC	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下電器	Panasonic
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BCM5836P	文件：111.88 Kbytes Page：2 Pages	24-PORTGIGABITETHERNETMULTILAYERSWITCH OVERVIEW TheBCM56500isthefifthgenerationofthehighly-integratedandcosteffectiveStrataSwitchandStrataXGSproductlineinasingle-chipsolutionwith24-GbEports.TheBCM56500incorporates24-GbEportsthatcanoperate10/100/1000Mbps. Withhigh-integrationandhigh-portdensity,the	BOARDCOMBroadcom Corporation. 博通公司博通半導體	BOARDCOM
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MCH5836	文件：68.92 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications MOSFET:P-ChannelSiliconMOSFETSBD:SchottkyBarrierDiode Features ?CompositetypewithanP-channelsiliconMOSFET(MCH3307)andaschottkybarrierdiode(SS10015M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. ?[MOSFET] ?LowON-resistance. ?1.8Vdrive. ?[SB	SANYOSanyo 三洋三洋電機株式會社	SANYO
SZ5836	文件：88.42 Kbytes Page：2 Pages	5.0WATT6.8-270VOLTSZENERDIODES	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
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