MOC8106M中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
MOC8106M規(guī)格書詳情
Description
The CNY17XM, CNY17FXM, and MOC8106M devices consist of
a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with an NPN
phototransistor in a dual in?line package.
Features
? High BVCEO: 70 V Minimum
(CNY17XM, CNY17FXM, MOC8106M)
? Closely Matched Current Transfer Ratio (CTR) Minimizes
Unit?to?Unit Variation
? Current Transfer Ratio In Select Groups
? Very Low Coupled Capacitance Along With
No Chip?to?Pin 6 Base Connection for Minimum Noise
Susceptibility (CNY17FXM, MOC8106M)
? Safety and Regulatory Approvals:
? UL1577, 4,170 VACRMS for 1 Minute
? DIN?EN/IEC60747?5?5, 850 V Peak Working Insulation Voltage
Applications
? Power Supply Regulators
? Digital Logic Inputs
? Microprocessor Inputs
? Appliance Sensor Systems
? Industrial Controls
產(chǎn)品屬性
- 型號:
MOC8106M
- 功能描述:
晶體管輸出光電耦合器 PHOTO OUT OPTO NO BASE
- RoHS:
否
- 制造商:
Vishay Semiconductors
- 輸入類型:
DC
- 最大集電極/發(fā)射極電壓:
70 V
- 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:
0.4 V
- 絕緣電壓:
5300 Vrms
- 電流傳遞比:
100 % to 200 %
- 最大正向二極管電壓:
1.65 V
- 最大輸入二極管電流:
60 mA
- 最大集電極電流:
100 mA
- 最大功率耗散:
100 mW
- 最大工作溫度:
+ 110 C
- 最小工作溫度:
- 55 C
- 封裝/箱體:
DIP-4
- 封裝:
Bulk
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILDONSEMICONDUCTOR |
NA |
90000 |
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詢價(jià) | |||
Fairchild |
23+ |
6-DIP |
33500 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存QQ:2987726803 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
NA |
860000 |
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詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
DIP-6 |
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詢價(jià) | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
781 |
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詢價(jià) | ||
FSC |
DIP-6 |
68900 |
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詢價(jià) | |||
onsemi |
24+ |
6-DIP(0.300,7.62mm) |
25000 |
in stock隔離器IC-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
NA |
30000 |
百域芯優(yōu)勢 實(shí)單必成 可開13點(diǎn)增值稅 |
詢價(jià) | ||
Fairchild |
22+ |
NA |
781 |
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詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
22+ |
SMD |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) |