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SurfaceMountStandardRecoveryPowerRectifier | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
RFANDMICROWAVETRANSISTORSGENERALPURPOSEAMPLIFIERAPPLICATIONS | ADPOW Advanced Power Technology | ADPOW | ||
Marktech3mmUltraBrightYGLEDs Features Lowdrivecurrent Choiceoflenscolor Canbepackagedontapeinareelorinabox | Marktech Marktech Corporate | Marktech | ||
MonolithicandWaferLevelPackagedThree-AxisAccelerometer | MEMSIC MEMSIC Semiconductor (Tianjin) Co., Ltd. | MEMSIC | ||
InGaAs/InPPINPhotodiodeChips DESCRIPTION Microsemi’sInGaAs/InPPINPhotodiodechipsareidealforwidebandwidth1310nmand1550nmopticalnetworkingapplications. KEYFEATURES LowDarkCurrent Extremelylowcapacitance Widebandwidth Fastresponsetime PPLICATIONS/BENEFIT 1310nmFiberOpticAppli | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=3A RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=52mΩ@VGS=4.5V(Typ | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE4003Ausesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeatures ●VDS=40V,ID=3A RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V(Typ) RDS(ON)=43mΩ@VGS=4.5V(Ty | NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 無(wú)錫新潔能股份無(wú)錫新潔能股份有限公司 | NCEPOWER | ||
SmallSignalMOSFET30V,0.56A,SingleN??hannel,SOT??3 SmallSignalMOSFET 30V,0.56A,SingleN?Channel,SOT?23 Features ?LowGateVoltageThreshold(VGS(TH))toFacilitateDriveCircuitDesign ?LowGateChargeforFastSwitching ?ESDProtectedGate ?SOT?23PackageProvidesExcellentThermalPerformance ?MinimumBreakdownVoltageRatin | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
SmallSignalMOSFET30V,0.56A,SingleN??hannel,SOT??3 SmallSignalMOSFET 30V,0.56A,SingleN?Channel,SOT?23 Features ?LowGateVoltageThreshold(VGS(TH))toFacilitateDriveCircuitDesign ?LowGateChargeforFastSwitching ?ESDProtectedGate ?SOT?23PackageProvidesExcellentThermalPerformance ?MinimumBreakdownVoltageRatin | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
SmallSignalMOSFET | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
10MHZ
- 引腳數(shù)：
10
- 可代換的型號(hào)：
- 最大耗散功率：
4W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號(hào)：
I-18
- vtest：
100
- htest：
10000000
- atest：
5
- wtest：
4
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
24+ |
DIP |
8 |
原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
24+ |
1 |
詢價(jià) | |||||
TOSHIBA |
08+ |
ZIP10 |
407 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
TOS |
98 |
DIP |
8 |
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
TOS |
25+23+ |
DIP |
37838 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
SIP |
36500 |
原裝現(xiàn)貨/放心購(gòu)買 |
詢價(jià) | ||
MP |
01+ |
DIP |
6 |
普通 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
2447 |
ZIP |
100500 |
一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
ZIP10 |
20000 |
全新原裝假一賠十 |
詢價(jià) |
