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MP4050AGJ	文件：557.32 Kbytes Page：21 Pages	Non-Isolated, High-Brightness LED Driver with Enhanced Thermal Feature	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050AGJ-P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：散裝封裝/外殼：SOT-23-5 細型，TSOT-23-5 類別：集成電路（IC） LED 驅動器描述：IC LED DRIVER OFFL TSOT23-5	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050AGJ-Z	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶封裝/外殼：SOT-23-5 細型，TSOT-23-5 類別：集成電路（IC） LED 驅動器描述：IC LED DRIVER OFFL TSOT23-5	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050AGS	文件：557.32 Kbytes Page：21 Pages	Non-Isolated,High-BrightnessLEDDriverwithEnhancedThermalFeature	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050AGS	文件：447.58 Kbytes Page：10 Pages	UniversalInput,40V/115mAOff-lineNon-isolatedLEDDriverEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050GJ	文件：692.98 Kbytes Page：21 Pages	Non-Isolated,HighBrightness,LEDDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MP4050GS	文件：692.98 Kbytes Page：21 Pages	Non-Isolated,HighBrightness,LEDDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美國芯源美國芯源系統(tǒng)有限公司	MPS
MPPARCA4050	文件：267.1 Kbytes Page：2 Pages	Mountingplateperforated(450x350x2mm-26x11mm)	FIBOXFIBOX Enclosing innovations 菲寶斯廣州菲寶克斯工程塑料有限公司	FIBOX
NDB4050	文件：66.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
NDB4050	文件：344.13 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDB4050L	文件：68.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
NDB4050L	文件：1.32123 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NDB4050L	文件：344.57 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDP4050	文件：66.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
NDP4050	文件：295.02 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NDP4050L	文件：68.22 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingpe	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
NDP4050L	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
NI4050	文件：110.92 Kbytes Page：4 Pages	51??DigitMultimeters	NI National Instruments Inc.	NI
NIPCMCIA-4050	文件：110.92 Kbytes Page：4 Pages	51??DigitMultimeters	NI National Instruments Inc.	NI
PMEG4050EP	文件：104.66 Kbytes Page：13 Pages	5AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Averageforwardcurrent:IF(AV)≤5A ■	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半導體公司	nxp

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