MPSH10G_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極(BJT)-射頻-安森美半導(dǎo)體

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原廠料號:MPSH10G品牌:onsemi

資料說明:RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

MPSH10G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻。制造商ONSEMI/安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)封裝TO-226-3,TO-92-3 長體的MPSH10G晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號:

    mpsh10g

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡稱:

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    ON Semiconductor

  • 中文名稱:

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說明:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    MPSH10G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    25V

  • 頻率 - 躍遷:

    650MHz

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 4mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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