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MPSH17分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MPSH17
廠商型號

MPSH17

參數(shù)屬性

MPSH17 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長體;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

功能描述

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長體

文件大小

130.33 Kbytes

頁面數(shù)量

1

生產(chǎn)廠商 SEMTECH ELECTRONICS LTD.
企業(yè)簡稱

SEMTECH_ELEC先之科半導(dǎo)體

中文名稱

先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 23:00:00

MPSH17規(guī)格書詳情

PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR

These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MPSH17

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    800MHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    6dB @ 200MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 5mA,10V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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