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MR0A08BYS35R集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

MR0A08BYS35R
廠商型號

MR0A08BYS35R

參數(shù)屬性

MR0A08BYS35R 封裝/外殼為44-TSOP(0.400",10.16mm 寬);包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

功能描述

128K x 8 MRAM
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

封裝外殼

44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

文件大小

1.27914 Mbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Everspin Technologies Inc.
企業(yè)簡稱

EVERSPIN

中文名稱

Everspin Technologies Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-15 23:20:00

MR0A08BYS35R規(guī)格書詳情

MR0A08BYS35R屬于集成電路(IC)的存儲器。由Everspin Technologies Inc.制造生產(chǎn)的MR0A08BYS35R存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MR0A08BYS35R

  • 制造商:

    Everspin Technologies Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    RAM

  • 技術(shù):

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存儲容量:

    1Mb(128K x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    35ns

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    44-TSOP2

  • 描述:

    IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
EVERSPIN
16+
TSOP44
61
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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