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MR25H40CDCR集成電路(IC)存儲器規(guī)格書PDF中文資料

MR25H40CDCR
廠商型號

MR25H40CDCR

參數(shù)屬性

MR25H40CDCR 封裝/外殼為8-VDFN 裸露焊盤;包裝為托盤;類別為集成電路(IC) > 存儲器;產(chǎn)品描述:IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN

功能描述

50MHz/20ns tSCK 4Mb SPI Interface MRAM / 40MHz/25ns tSCK 4Mb SPI Interface MRAM
IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN

文件大小

1.64909 Mbytes

頁面數(shù)量

30

生產(chǎn)廠商 Everspin Technologies Inc.
企業(yè)簡稱

EVERSPIN

中文名稱

Everspin Technologies Inc.官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-19 10:45:00

MR25H40CDCR規(guī)格書詳情

MR25H40CDCR屬于集成電路(IC) > 存儲器。Everspin Technologies Inc.制造生產(chǎn)的MR25H40CDCR存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    MR25H40CDCR

  • 制造商:

    Everspin Technologies Inc.

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    RAM

  • 技術(shù):

    MRAM(磁阻式 RAM)

  • 存儲容量:

    4Mb(512K x 8)

  • 存儲器接口:

    SPI

  • 電壓 - 供電:

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    8-VDFN 裸露焊盤

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    8-DFN-EP,大型標志(5x6)

  • 描述:

    IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN

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