首頁>MR2A08AYS35R>詳情

MR2A08AYS35R 集成電路（IC）存儲器 EVERSPIN

MR2A08AYS35R參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：MR2A08AYS35R品牌：EVERSPIN

原裝現(xiàn)貨假一賠十

MR2A08AYS35R是集成電路（IC） > 存儲器。制造商EVERSPIN/Everspin Technologies Inc.生產(chǎn)封裝44TSOP/44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）的MR2A08AYS35R存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    MR2A08AYS35R

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    EVERSPIN詳情

  • 廠商全稱：

    Everspin Technologies Inc.

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    15 頁

  • 文件大?。?/span>

    901.96 kb

  • 資料說明：

    512K x 8 MRAM Memory

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MR2A08AYS35R

  • 制造商：

    Everspin Technologies Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    RAM

  • 技術(shù)：

    MRAM（磁阻式 RAM）

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    35ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    44-TSOP（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    44-TSOP2

  • 描述：

    IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市航潤創(chuàng)能電子集團有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱小姐

  • 手機：

    19520636341

  • 詢價：
  • 電話：

    19520636341

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)深南中路2068號華能大廈2303

相近型號