MRF10350分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
MRF10350 |
參數(shù)屬性 | MRF10350 封裝/外殼為355E-01;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 65V 355E-01 |
功能描述 | MICROWAVE POWER TRANSISTOR NPN SILICON |
封裝外殼 | 355E-01 |
文件大小 |
147.24 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Tyco Electronics |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
MACOM |
中文名稱 | Tyco Electronics官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-11 17:11:00 |
MRF10350規(guī)格書詳情
The RF Line
Microwave Pulse Power Transistor
Designed for 1025–1150 MHz pulse common base amplifier applications such as TCAS, TACAN and Mode–S transmitters.
? Guaranteed Performance @ 1090 MHz
Output Power = 350 Watts Peak
Gain = 8.5 dB Min, 9.0 dB (Typ)
? 100 Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR
? Hermetically Sealed Package
? Silicon Nitride Passivated
? Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal Migration
? Internal Input and Output Matching
? Characterized using Mode–S Pulse Format
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
MRF10350
- 制造商:
MACOM Technology Solutions
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
65V
- 增益:
9dB
- 功率 - 最大值:
350W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 5A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
31A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
355E-01
- 供應(yīng)商器件封裝:
355E-01,1 型
- 描述:
RF TRANS NPN 65V 355E-01
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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