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MRF1150MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF1150MB
廠商型號(hào)

MRF1150MB

參數(shù)屬性

MRF1150MB 封裝/外殼為332A-03;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ

功能描述

Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 150W (peak), 960-1215MHz

封裝外殼

332A-03

文件大小

191.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 M/A-COM Technology Solutions, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

MA-COM

中文名稱(chēng)

M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-8 19:37:00

MRF1150MB規(guī)格書(shū)詳情

Designed for Class B and C common base amplifier applications in short pulse TACAN, IFF, and DME transmitters.

? Guaranteed performance @ 1090 MHz, 50 Vdc

Output power = 150 W peak

Minimum gain = 7.8 dB

? 100 tested for load mismatch at all phase angles with 10:1 VSWR

? Industry standard package

? Nitride passivated

? Gold metallized, emitter ballasted for long life and resistance to metal migration

? Internal input matching for broadband operation

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF1150MB

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    70V

  • 增益:

    9.8dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    12A

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    332A-03

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    332A-03

  • 描述:

    TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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