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MRF1513NT1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF1513NT1
廠商型號(hào)

MRF1513NT1

參數(shù)屬性

MRF1513NT1 封裝/外殼為PLD-1.5;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

功能描述

RF Power Field Effect Transistor N−Channel Enhancement−Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

PLD-1.5

文件大小

479.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

freescale飛思卡爾

中文名稱(chēng)

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-6 22:30:00

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MRF1513NT1規(guī)格書(shū)詳情

RF Power Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 7.5 volt portable and 12.5 volt mobile FM equipment.

? Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts

Output Power — 3 Watts

Power Gain — 15 dB

Efficiency — 65

? Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.5 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive

Features

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant.

? In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units per 12 mm, 7 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF1513NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    520MHz

  • 增益:

    15dB

  • 額定電流(安培):

    2A

  • 功率 - 輸出:

    3W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 40V 520MHZ PLD-1.5

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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