MRF175GV分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF175GV |
| 參數(shù)屬性 | MRF175GV 封裝/外殼為375-04；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04 |
| 功能描述 | RF Power Field-Effect Transistors |
| 封裝外殼 | 375-04 |
| 文件大小 |
110.09 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-3 17:08:00 |
MRF175GV規(guī)格書詳情
The RF MOSFET Line
RF Power
???????Field-Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode
Designedfor broadband commercial and military applications using push pull circuitsat frequencies to 500 MHz. The high power, high gain and broadband performanceof these devices makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel frequency bands.
? Guaranteed Performance
MRF175GV @ 28 V, 225 MHz (“V” Suffix)
Output Power — 200 Watts
Power Gain — 14 dB Typ
Efficiency — 65 Typ
MRF175GU @ 28 V, 400 MHz (“U” Suffix)
Output Power — 150 Watts
Power Gain — 12 dB Typ
Efficiency — 55 Typ
? 100 Ruggedness Tested At Rated Output Power
? Low Thermal Resistance
? Low Crss — 20 pF Typ @ VDS = 28
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF175GV
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
2 N 溝道（雙）共源
- 頻率：
225MHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
26A
- 功率 - 輸出：
200W
- 封裝/外殼：
375-04
- 供應(yīng)商器件封裝：
375-04，2 型
- 描述：
FET RF 2CH 65V 225MHZ 375-04
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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