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MRF18085B分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF18085B
廠商型號

MRF18085B

參數(shù)屬性

MRF18085B 封裝/外殼為NI-780;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-78O

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

文件大小

610.58 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 20:00:00

MRF18085B規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1.9 to 2.0 GHz. Suitable for TDMA, CDMA, and multicarrier amplifier applications.

? GSM and GSM EDGE Performance, Full Frequency Band (1930 - 1990 MHz)

Power Gain - 12.5 dB (Typ) @ 85 Watts CW

Efficiency - 50 (Typ) @ 85 Watts CW

? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use

? High Gain, High Efficiency, and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, @ P1dB Output Power, @ f = 1930 MHz

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF18085BLR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 輸出:

    90W

  • 封裝/外殼:

    NI-780

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-78O

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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