MRF19030分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF19030 |
| 參數(shù)屬性 | MRF19030 封裝/外殼為NI-400；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.96GHZ NI-400 |
| 功能描述 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | NI-400 |
| 文件大小 |
390.98 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-12 9:59:00 |
| 人工找貨 | MRF19030價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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The RF MOSFET Line
RF Power Field Effect Transistors
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for class AB PCN and PCS base station applications with frequencies from 1.8 to 2.0 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
? CDMA Performance @ 1990 MHz, 26 Volts
IS–97 CDMA Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 Thru 13
885 kHz — –47 dBc @ 30 kHz BW
1.25 MHz — –55 dBc @ 12.5 kHz BW
2.25 MHz — –55 dBc @ 1 MHz BW
Output Power — 4.5 Watts Avg.
Power Gain — 13.5 dB
Efficiency — 17
? Internally Matched, Controlled Q, for Ease of Use
? High Gain, High Efficiency and High Linearity
? Integrated ESD Protection
? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 1.93 GHz, 30 Watts CW Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF19030LR5
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類(lèi)型：
LDMOS
- 頻率：
1.96GHz
- 增益：
13dB
- 功率 - 輸出：
30W
- 封裝/外殼：
NI-400
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-400
- 描述：
FET RF 65V 1.96GHZ NI-400
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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