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MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors

TheRFMOSFETLine RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforW-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom2110to2170MHz.SuitableforFM,TDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellular

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司

MRF21010LSR1

RF Power Field Effect Transistors

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF21010LSR1

Package：NI-360S；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF21010LSR1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.17GHz

  • 增益：

    13.5dB

  • 功率 - 輸出：

    10W

  • 封裝/外殼：

    NI-360S

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-360S

  • 描述：

    FET RF 65V 2.17GHZ NI-360S

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更多MRF21010LSR1供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 16:20:00

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