MRF281分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF281 |
| 參數(shù)屬性 | MRF281 封裝/外殼為NI-200Z；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z |
| 功能描述 | RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | NI-200Z |
| 文件大小 |
311.65 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
8 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Motorola, Inc |
| 企業(yè)簡稱 |
Motorola【摩托羅拉】 |
| 中文名稱 | 加爾文制造公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-15 23:00:00 |
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The RF Sub–Micron MOSFET Line
RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs
Designed for digital and analog cellular PCN and PCS base station applications with frequencies from 1000 to 2500 MHz. Characterized for operation Class A and Class AB at 26 volts in commercial and industrial applications.
? Specified Two–Tone Performance @ 1930 and 2000 MHz, 26 Volts
Output Power — 4 Watts PEP
Power Gain — 11 dB
Efficiency — 30
Intermodulation Distortion — –29 dBc
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 2000 MHz, 4 Watts CW Output Power
? Excellent Thermal Stability
? Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
? S–Parameter Characterization at High Bias Levels
? Available in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF281ZR1
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
1.93GHz
- 增益：
12.5dB
- 功率 - 輸出：
4W
- 封裝/外殼：
NI-200Z
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-200Z
- 描述：
FET RF 65V 1.93GHZ NI-200Z
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FSL |
23+ |
NA/ |
3310 |
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24+ |
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MOT |
23+ |
SMD |
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2023+ |
模塊 |
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