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MRF314分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF314
廠商型號(hào)

MRF314
參數(shù)屬性

MRF314 封裝/外殼為211-07；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 35V 211-07
功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
封裝外殼

211-07
文件大小

21.66 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ASI

中文名稱

Advanced Semiconductor官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-5-15 18:27:00
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MRF314規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The MRF314 is Designed for Class C Power Amplifier Applications up to 200 MHz.

FEATURES:

? PG = 10 dB min. at 30 W/ 150 MHz

? Withstands 30:1 Load VSWR

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MRF314

  • 制造商：

    MACOM Technology Solutions

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    35V

  • 增益：

    13.5dB

  • 功率 - 最大值：

    30W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 1.5A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    3.4A

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    211-07

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    211-07，1 型

  • 描述：

    RF TRANS NPN 35V 211-07

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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