MRF323分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF323 |
| 參數(shù)屬性 | MRF323 封裝/外殼為244-04；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04 |
| 功能描述 | The RF Line NPN Silicon Power Transistor 20W, 400MHz, 28V |
| 封裝外殼 | 244-04 |
| 文件大小 |
223.43 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | M/A-COM Technology Solutions, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
MA-COM |
| 中文名稱 | M/A-COM Technology Solutions, Inc.官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-27 23:00:00 |
MRF323規(guī)格書詳情
Designed primarily for wideband large–signal driver and predriver amplifier stages in the 200–500 MHz frequency range.
? Guaranteed performance at 400 MHz, 28 V
Output power = 20 W
Power gain = 10 dB min.
Efficiency = 50 min.
? 100 tested for load mismatch at all phase angles with 30:1 VSWR
? Gold metallization system for high reliability
? Computer–controlled wirebonding gives consistent input impedance
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF323
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
33V
- 增益：
11dB
- 功率 - 最大值：
20W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
2.2A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
244-04
- 供應(yīng)商器件封裝：
244-04，1 型
- 描述：
TRANS RF NPN 33V 1.1A 244-04
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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