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MRF372R3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF372R3
廠商型號(hào)

MRF372R3

參數(shù)屬性

MRF372R3 封裝/外殼為NI-860C3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

功能描述

RF Power Field-Effect Transistor

封裝外殼

NI-860C3

文件大小

505.68 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 11:12:00

MRF372R3規(guī)格書詳情

470-860 MHz, 180 W, 32 V LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies from 470 to 860 MHz. The high gain and broadband performance of this device make it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 32 volt transmitter equipment.

? Typical Narrowband Two-Tone Performance @ f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz, 32 Volts

Output Power — 180 Watts PEP

Power Gain — 17 dB

Efficiency — 36

IMD — -35 dBc

? Typical Broadband Two-Tone Performance @ f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz, 32 Volts

Output Power — 180 Watts PEP

Power Gain — 14.5 dB

Efficiency — 37

IMD — -31 dBc

? Capable of Handling 3:1 VSWR @ 32 Vdc, 857 MHz, 90 Watts CW Output Power

Features

? Internally Matched for Ease of Use

? Integrated ESD Protection

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF372R3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益:

    17dB

  • 額定電流(安培):

    17A

  • 功率 - 輸出:

    180W

  • 封裝/外殼:

    NI-860C3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-860C3

  • 描述:

    FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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