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MRF429分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF429
廠商型號(hào)

MRF429

參數(shù)屬性

MRF429 封裝/外殼為211-11,2 型;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

功能描述

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

封裝外殼

211-11,2 型

文件大小

35.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ASI

中文名稱(chēng)

Advanced Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2025-3-28 22:50:00

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MRF429規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION:

The ASI MRF429is Designed for High voltage applications up tp 30MHz

FEATURES:

? PG= 13 dB min. at 150 W/30 MHz

? IMD3= -32 dBc max. at 150 W(PEP)

? Omnigold? Metalization System

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF429

  • 制造商:

    MACOM Technology Solutions

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    50V

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    150W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    16A

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    211-11,2 型

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    211-11,2 型

  • 描述:

    TRANS RF NPN 50V 16A 211-11

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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