MRF429分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF429 |
| 參數(shù)屬性 | MRF429 封裝/外殼為211-11，2 型；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS RF NPN 50V 16A 211-11 |
| 功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 211-11，2 型 |
| 文件大小 |
35.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ASI |
| 中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-11 17:34:00 |
MRF429規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI MRF429is Designed for High voltage applications up tp 30MHz
FEATURES:
? PG= 13 dB min. at 150 W/30 MHz
? IMD3= -32 dBc max. at 150 W(PEP)
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF429
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
50V
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
16A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
211-11，2 型
- 供應(yīng)商器件封裝：
211-11，2 型
- 描述：
TRANS RF NPN 50V 16A 211-11
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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高頻管 |
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