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MRF553G 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF553G參考圖片

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原廠料號：MRF553G品牌：MICRO-SEMI

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MRF553G是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICRO-SEMI/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝超大功率的MRF553G晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    MRF553G

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ADPOW詳情

  • 廠商全稱：

    Advanced Power Technology

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大?。?/span>

    146.09 kb

  • 資料說明：

    RF MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF553G

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 頻率 - 躍遷：

    175MHz

  • 增益：

    11dB ~ 13dB

  • 功率 - 最大值：

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 250mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    500mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    超大功率

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    超大功率

  • 描述：

    RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    陳先生/周小姐

  • 手機：

    18923718265

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82721010

  • 傳真：

    0755-28225816

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1016號寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級代理商

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