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MRF555分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF555
廠商型號

MRF555
參數(shù)屬性

MRF555 封裝/外殼為超大功率；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
功能描述

RF LOW POWER TRANSISTOR NPN SILICON
封裝外殼

超大功率
文件大小

99.07 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola【摩托羅拉】

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-23 19:10:00
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MRF555規(guī)格書詳情

The RF Line

NPN Silicon RF Low Power Transistor

Designed primarily for wideband large signal predriver stages in the UHF frequency range.

? Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics @ Pout = 1.5 W

Common Emitter Power Gain = 12.5 dB (Typ)

Efficiency 60 (Typ)

? Cost Effective PowerMacro Package

? Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability

? Circuit board photomaster available upon request by contacting RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF555

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    16V

  • 增益：

    11dB ~ 13dB

  • 功率 - 最大值：

    3W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 250mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    500mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    超大功率

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    超大功率

  • 描述：

    RF TRANS NPN 16V POWER MACRO

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