MRF555分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF555 |
| 參數(shù)屬性 | MRF555 封裝/外殼為超大功率；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 16V POWER MACRO |
| 功能描述 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | 超大功率 |
| 文件大小 |
68.72 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-14 20:45:00 |
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MRF555規(guī)格書詳情
DESCRIPTION: Designed primarily for wideband large signal stages in the UHF frequency range.
Features
? Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics
? Output Power = 1.5 W
? Minimum Gain = 11 dB
? Efficiency 60 (Typ)
? Cost Effective PowerMacro Package
? Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF555
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
16V
- 增益：
11dB ~ 13dB
- 功率 - 最大值：
3W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 250mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
500mA
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
超大功率
- 供應商器件封裝：
超大功率
- 描述：
RF TRANS NPN 16V POWER MACRO
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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