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MRF5812GR1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF5812GR1參考圖片

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原廠料號：MRF5812GR1品牌：Microsemi

全新原裝優(yōu)勢

MRF5812GR1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商Microsemi/Microsemi Corporation生產(chǎn)封裝RF-FET/8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MRF5812GR1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

  • 芯片型號：

    MRF5812GR1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    MICROSEMI【美高森美】詳情

  • 廠商全稱：

    Microsemi Corporation

  • 中文名稱：

    美高森美公司

  • 資料說明：

    TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF5812GR1

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    15V

  • 頻率 - 躍遷：

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 增益：

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值：

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 50mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    200mA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    8-SO

  • 描述：

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市博浩通科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/羅小姐

  • 手機：

    13798567707

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82818091

  • 傳真：

    0755-82818458

  • 地址：

    國內(nèi)業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強北寶華大廈A座808,國際業(yè)務(wù):深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場3510A室(微信號:sz8910)

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