MRF5812GR1 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

圖片僅供參考，請參閱產品規(guī)格書

訂購數量	價格
1+	面議

廠家型號：
MRF5812GR1
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
MICROSEM
庫存數量：
589220
產品封裝：
生產批號：
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-18 16:42:00

數據手冊更多貨源

詳細信息
規(guī)格書下載

原廠料號：MRF5812GR1品牌：MICROSEM

16余年資質絕對原盒原盤更多數量

MRF5812GR1是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商MICROSEM/Microsemi Corporation生產封裝8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）的MRF5812GR1晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
MRF5812GR1
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
MICROSEMI【美高森美】詳情
廠商全稱：
Microsemi Corporation
中文名稱：
美高森美公司
資料說明：
TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

產品屬性

類型
描述
產品編號：
MRF5812GR1
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
頻率 - 躍遷：
5GHz
噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）：
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
50 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝：
8-SO
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO

供應商

企業(yè)：
深圳市匯萊威科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
司先生
手機：
18126328660
詢價：
電話：
0755-82785677
地址：
深圳市福田區(qū)華富路1046號華康大夏2棟503

MRF5812GR1 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 MICROSEMI/美高森美

MRF5812GR1

產品屬性

供應商

相關型號

相近型號