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MRF5P21045NR1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MRF5P21045NR1
廠商型號(hào)

MRF5P21045NR1

參數(shù)屬性

MRF5P21045NR1 封裝/外殼為T(mén)O-270AB;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4

功能描述

RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

文件大小

421.99 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡(jiǎn)稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 19:02:00

MRF5P21045NR1規(guī)格書(shū)詳情

2110-2170 MHz, 10 W AVG., 28 V 2 x W-CDMA, DUAL PATH LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET

Designed for W-CDMA base station applications with frequencies from 2110 to 2170 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Dual path topology suitable for Doherty, quadrature, single-ended and push-pull applications.

? Typical 2-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 500 mA, Pout = 10 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.

Power Gain — 14.5 dB

Drain Efficiency — 25.5

IM3 @ 10 MHz Offset — -37 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

ACPR @ 5 MHz Offset — -39 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth

? Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 45 Watts CW Output Power

Features

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Internally Matched for Ease of Use

? Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

? Integrated ESD Protection

? 200°C Capable Plastic Package

? RoHS Compliant

? In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF5P21045NR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    TO-270AB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-270 WB-4

  • 描述:

    FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4

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