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MRF652S中文資料摩托羅拉數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MRF652S
廠商型號

MRF652S

功能描述

RF POWER TRANSISTORS NPN SILICON

文件大小

111.83 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-12 21:27:00

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MRF652S規(guī)格書詳情

The RF Line

NPN SILICON RF POWER TRANSISTORS

Designedfor 12.5 Vdc UHFlarge–signal, amplifier applications in industrial and commercial FM equipment operating to 512 MHz.

? Guaranteed 12.5 Volt, 512 MHz Characteristics

Output Power = 5.0 Watts

Minimum Gain = 10 dB

Efficiency = 65 (Typ)

? Typical Performance at 512 MHz, 12.5 V, 5.0 W Output = 6.0 dB

? Series Equivalent Large–Signal Characterization

? Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Reliability

? Capable of 30:1 VSWR Load Mismatch at 15.5 V Supply Voltage

? Circuit board photomaster available upon request by contacting

RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MRF652S

  • 功能描述:

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置:

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    40

  • 最大工作頻率:

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流:

    20 A

  • 功率耗散:

    250 W

  • 封裝/箱體:

    Case 211-11

  • 封裝:

    Tray

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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