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MRF652S中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

MRF652S
廠商型號(hào)

MRF652S
功能描述

NPN Silicon RF Power Transistors
文件大小

81.42 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-10-25 20:00:00

MRF652S規(guī)格書詳情

NPN Silicon RF Power Transistors

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    MRF652S

  • 功能描述：

    射頻雙極電源晶體管 RF Transistor

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    M/A-COM Technology Solutions

  • 配置：

    Single 直流集電極/Base Gain hfe

  • Min：

    40

  • 最大工作頻率：

    30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    25 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO：

    4 V

  • 集電極連續(xù)電流：

    20 A

  • 功率耗散：

    250 W

  • 封裝/箱體：

    Case 211-11

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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