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MRF6P3300H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF6P3300H
廠商型號

MRF6P3300H

參數(shù)屬性

MRF6P3300H 封裝/外殼為NI-860C3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

功能描述

RF Power Field Effect Transistor

封裝外殼

NI-860C3

文件大小

1.0063 Mbytes

頁面數(shù)量

24

生產(chǎn)廠商 Freescale Semiconductor, Inc
企業(yè)簡稱

freescale飛思卡爾

中文名稱

飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 16:03:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6P3300HR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    857MHz ~ 863MHz

  • 增益:

    20.2dB

  • 功率 - 輸出:

    270W

  • 封裝/外殼:

    NI-860C3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-860C3

  • 描述:

    FET RF 68V 863MHZ NI-860C3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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