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MRF6S19100NBR1

RF Power Field Effect Transistors

RFPowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFETs DesignedforN-CDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1930to1990MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications.TobeusedinClassABforPCN-PCS/cellularradioandWLLapplicat

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6S19100NBR1

Package:TO-272BB;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF6S19100NBR1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14.5dB

  • 功率 - 輸出:

    22W

  • 封裝/外殼:

    TO-272BB

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-272 WB-4

  • 描述:

    FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
21+
TO-272
1800
原裝現(xiàn)貨熱賣
詢價(jià)
FSL
24+
500reel
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TO-272
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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NXP USA Inc.
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原裝現(xiàn)貨原盒原包.假一罰十
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更多MRF6S19100NBR1供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-8 23:00:00